Hybrid III-V/Si DFB Lasers Based on Polymer Bonding Technology

Promovendus/a
Stevan Stankovic
Faculteit
Faculteit Ingenieurswetenschappen en Architectuur
Vakgroep
Vakgroep Informatietechnologie
Curriculum
Master of Science in Electrical Engineering - Optoelectronics and Laser Engineering University of Belgrade, Servië, 2006
Academische graad
Doctor in de ingenieurswetenschappen: elektrotechniek
Taal proefschrift
en
Vertaling titel
Hybride III-V/Si-DFB-lasers gebaseerd op polymeerbondingtechnologie
Promotor(en)
prof. Dries Van Thourhout, vakgroep Informatietechnologie (EA05) - prof. Günther Roelkens, vakgroep Informatietechnologie (EA05)
Examencommissie
prof. Rik Van de Walle (Voorzitter) - dr. Guang-Hua Duan (Alcatel Thales III-V Lab, Palaiseau, Frankrijk) - dr. ir. Martijn Heck (University of California, Santa Barbara, VS) - prof. Geert Morthier (EA05) - prof. Günther Roelkens (EA05) - prof. Jan Vanfleteren (EA06) - prof. Dries Van Thourhout (EA05) - prof. Michael Wale (Technische Universiteit Eindhoven, Nederland)

Korte beschrijving

In dit werk pakten we een van de grootste uitdagingen aan in het snel evoluerende gebied van silicium fotonica: de realisatie van een efficiënte, elektrisch aangedreven halfgeleider laser en dat op een materiaal platform van silicium-op-isolator (SOI). We onderzochten hybride III-V/Si lasers, geschikt voor optische verbindingen en gebaseerd op een bonding technologie met DVS-BCB polymeren. We stellen het ontwerp, de fabricage en de karakterisering van evanescent gekoppelde hybride III-V/Si lasers voor van het Fabry-Perot en gedistribueerde terugkoppeling (DFB) type die licht uitstralen met een golflengte van 1310 nm. De DVS-BCB bonding procedure was machinaal, werd speciaal voor dit werk ontwikkeld en resulteerde in bonding diktes van minder dan 100 nm wat voldoende is voor evanescente koppeling. Karakterisering van deze lasers toonde aan dat de prestaties vergelijkbaar zijn met die gemaakt via een directe bonding technologie. Onze DFB lasers werkten tot 55 °C in continu regime (CW). De resultaten van dit werk openen nieuwe perspectieven voor verdere ontwikkeling, zowel voor de DVS-BCB bonding technologie als voor het ontwerp van de hybride III-V/Si lasers. De belangrijkste doelstellingen in de toekomst zijn enerzijds de bonding procedure uitbreiden naar het simultaan bonden van meerdere chips en anderzijds het reduceren van de thermische weerstand.

Praktisch

Wanneer
Maandag 27 mei 2013, 17:00
Waar
Jozef Plateauzaal, Plateaustraat 22, 9000 Gent

Meer info

Contact
doctoraat.fea@UGent.be