High Speed Directly Modulated III-V-on-Silicon DFB Lasers

Promovendus/a
Amin Abbasi
Faculteit
Faculteit Ingenieurswetenschappen en Architectuur
Vakgroep
Vakgroep Architectuur en Stedenbouw
Curriculum
Master of Science in Atomic & Molecular Physics-Laser, University of Tabriz, Iran, 2009
Academische graad
Doctor in de ingenieurswetenschappen: fotonica
Taal proefschrift
en
Vertaling titel
Directe modulatie aan hoge snelheid van III-V-op-silicium-DFB-lasers
Promotor(en)
prof. Geert Morthier, vakgroep Informatietechnologie (EA05) - prof. Günther Roelkens, vakgroep Informatietechnologie (EA05)
Examencommissie
voorzitter prof. Rik Van de Walle (decaan) - prof. Johan Bauwelinck (EA05) - prof. Jeroen Beeckman (EA06) - dr. Guang-Hua Duan (III-V Lab, Palaiseau, France) - prof. Geert Morthier (EA05) - prof. Günther Roelkens (EA05) - prof. Meint Smit (Technische Universiteit Eindhoven, the Netherlands) - prof. Dries Van Thourhout (EA05)

Korte beschrijving

Door middel van heterogene integratie van Indium Phosphide membranen op silicium golfgeleiders worden halfgeleiderlasers gefabriceerd die tot op heel hoge snelheden kunnen gemoduleerd worden en heel hoge bitsnelheden (tot 56 Gbit/s) kunnen leveren. Deze lasers zijn vooral bruikbaar voor optische interconnecties op relatief korte afstanden, bv. voor het verbinden van de verschillende servers binnenin een datacenter of het tot stand brengen van optische vezelverbindingen tussen verschillende datacenters. De hoge modulatiebandbreedte is o.a. mogelijk door het hoge brekingsindex contrast van de membranen. Dit hoge indexcontrast leidt er namelijk toe dat de lasermode sterk overlapt met de actieve laag (de laag die voor de versterking van de laser zorgt). De lasermode overlapt ook sterk met het diffractierooster, dat in de onderliggende siliciumgolfgeleider is geetst. Dit diffractierooster zorgt daardoor voor heel sterke Bragg reflecties en leidt tot heel lage verliezen voor de laser. De lage verliezen en de hoge overlap van de lasermode met de actieve laag zorgen beiden voor een heel lage drempelstroom, hetgeen zich typisch in een hoge modulatiebandbreedte vertaald. Dit werk heeft geleid tot vele publicaties. Op de International Semiconductor Laser Conference werd het bekroond met de Best Student Paper Award.

Praktisch

Wanneer
Dinsdag 29 november 2016, 14:30
Waar
auditorium 1, iGent, eerste verdieping, Technologiepark Zwijnaarde 15, 9052 Zwijnaarde

Meer info

Contact
doctoraat.ea@UGent.be