Nonlinear Optics in a-Si:H-on-Insulator and InGaP-on-Insulator Waveguide Circuits

Promovendus/a
Utsav Deepak Dave
Faculteit
Faculteit Ingenieurswetenschappen en Architectuur
Vakgroep
Vakgroep Informatietechnologie
Curriculum
Erasmus Mundus Master of Science in Photonics, Universiteit Gent, 2012
Academische graad
Doctor in de ingenieurswetenschappen: fotonica
Taal proefschrift
en
Vertaling titel
Niet-lineaire optica in golfgeleidercircuits geïmplementeerd in a-Si:H-op-isolator en InGaP-op-isolator
Promotor(en)
prof. Günther Roelkens, vakgroep Informatietechnologie (EA05) - prof. Bart Kuyken, vakgroep Informatietechnologie (EA05)
Examencommissie
voorzitter prof. Patrick De Baets (academisch secretaris) - prof. Roel Baets (EA05) - prof. Simon-Pierre Gorza (Université libre de Bruxelles) - prof. Bart Kuyken (EA05) - prof. Kristiaan Neyts (EA06) - prof. Fabrice Raineri (Université Paris Diderot, Marcoussis, France) - prof. Günther Roelkens (EA05) - prof. Dries Van Thourhout (EA05)

Korte beschrijving

Het werk in de doctoraatsverhandeling beschrijft het gebruik van gehydrogeneerd amorf silicium (a-Si:H) en III-V materialen (InGaP) voor niet-lineaire optische functies. Deze materialen hebben niet de tekortkomingen van het silicium-op-isolator (SOI) platform zoals bijvoorbeeld de sterke twee-foton-absorptie in de telecom band. Hierdoor werd het mogelijk om een supercontinuum te genereren met een spectrum dat liep van de telecom band tot diep in de korte golf mid-infrarode band in a-Si:H golfgeleiders. Daarenboven is een specifiek proces ontwikkeld om dunne InGaP lagen te bonden op silicium substraten. In deze lagen werden niet-lineaire componenten gedefinieerd met behulp van elektronenstraal lithografie en een inductief gekoppelde plasma-ets. De lineaire en niet-lineaire eigenschappen waren goed bevonden. Dus zowel twee als derde orde niet-lineaire processen zoals quasi en modale fasematching frequentieverdubbeling, efficiënte vierbundelmenging, octaaf brede coherente supercontinuum generatie etc.. zijn dan ook gedemonstreerd in InGaP golfgeleiders, ringresonatoren en microschijfresonatoren. Verder is zowel de integratie van deze componenten met zowel het SOI als SIN platform aangetoond.

Praktisch

Wanneer
Vrijdag 20 januari 2017, 17:00
Waar
auditorium 1, iGent, eerste verdieping, Technologiepark Zwijnaarde 15, 9052 Zwijnaarde

Meer info

Contact
doctoraat.ea@UGent.be