Short-Wave Infrared Photodetectors Based on Colloidal Quantum Dots

Promovendus/a
Chen Hu
Faculteit
Faculteit Ingenieurswetenschappen en Architectuur
Vakgroep
Vakgroep Informatietechnologie
Curriculum
Master of Science in Photonics, Royal Institute of Technology, Stockholm, Zweden, 2011
Academische graad
Doctor in de ingenieurswetenschappen: fotonica
Taal proefschrift
en
Vertaling titel
Kortegolfinfrarood-fotodetectoren gebaseerd op colloïdale nanokristallen
Promotor(en)
prof. Günther Roelkens, vakgroep Informatietechnologie - prof. Zeger Hens, vakgroep Anorganische en Fysische Chemie
Examencommissie
voorzitter prof. Hendrik Van Landeghem (ere-onderwijsdirecteur) - prof. Christophe Detavernier (Vakgroep Vastestofwetenschappen) - prof. Wolfgang Heiss (Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg, Duitsland) - prof. Zeger Hens (Vakgroep Anorganische en Fysische Chemie) - prof. Arjan Houtepen (Technische Universiteit Delft, Nederland) - prof. Günther Roelkens (Vakgroep Informatietechnologie) - prof. Dries Van Thourhout (Vakgroep Informatietechnologie)

Korte beschrijving

Dit proefschrift onderzoekt verschillende mogelijkheden voor componenten gebaseerd op colloïdale nanokristallen voor fotodetectortoepassingen in het kortegolfinfrarood golflengtebereik. Nieuwe technologie voor het definiëren van micropatronen in colloïdale QD films werd ontwikkeld. De resulterende patronen kunnen gedefinieerd worden met een resolutie tot 500 nm, begrensd door de resolutie van het lithografische proces en het wordt aangetoond dat het proces ook kan worden toegepast op 3D substraten. In dit werk maken we gebruik van ALD om Al2O3 films te deponeren op PbS colloïdale QD films voor passivatie en aldus luchtstabiele kortegolfinfrarood fotodetectoren te implementeren. Luchtstabiele fotogeleiders en fototransistoren met hoge responsiviteit werden verkregen op basis van deze aanpak, met een cut-off golflengte van 2.4 micrometer. We demonstreren een PbS/S2− fototransistor met ultrahoge responsiviteit tot 920 A/W onder een backgate-spanning van −100 V. De elektronische en opto-elektronische eigenschappen van de verkregen luchtstabiele PbS fototransistor werden onderzocht. De veldeffectmobiliteit van de gaten werd berekend op 0.025 cm2/(V∙s) en 0.01 cm2/(V∙s) voor S2−-getermineerde en OH−-getermineerde PbS fototransistoren, respectievelijk. Deze resultaten openen nieuwe mogelijkheden voor de ontwikkeling van colloïdale quantum dot-gebaseerde opto-elektronische componenten voor toepassingen in het kortegolfinfrarood golflengtegebied.

Praktisch

Wanneer
Dinsdag 13 juni 2017, 16:00
Waar
auditorium 1, iGent, eerste verdieping, Technologiepark Zwijnaarde 15, 9052 Zwijnaarde

Meer info

Contact
doctoraat.ea@UGent.be