Fourier Transform Infrarood spectroscopie tijdens Atomaire Laag Depositie

Groep: CoCooN

Promotor: Jolien Dendooven, Christophe Detavernier

Begeleiding: Michiel Van Daele

Inlichtingen: tel. 09/264.43.42 of contacteer rechtstreeks een betrokken persoon (de contact-gegevens opvragen door op de naam te klikken)

Atomaire Laag Depositie (ALD) is gebaseerd op de sequentiële reactie van precursordampen met een substraat wat resulteert in de depositie van dunne lagen. Door de sequentiële aard van het proces kunnen de lagen conformeel en met een precieze dikte worden afgezet, zowel op planaire als 3D structuren. Zowel oxides en edelmetalen kunnen worden afgezet met ALD. De belangrijkste toepassingen van ALD situeren zich in de micro-elektronica, waar het gate oxide van een transistor gegroeid wordt door een ALD proces. ALD van edelmetalen is potentieel relevant voor katalytische toepassingen, bv. in een autokatalysator.

In deze thesis zullen ALD processen voor Palladium ontwikkeld en gekarakteriseerd worden. Om een goed inzicht te verkrijgen in de oppervlakfysica en -chemie van de ALD processen zal gebruik gemaakt worden van in situ meettechnieken. Deze technieken maken het mogelijk om tijdens het groeiproces de afgezette film te bestuderen. In het bijzonder maakt infrarood spectroscopie het mogelijk om organische groepen te detecteren op een oppervlak of in de gasfase. In situ FTIR metingen zullen tijdens het ALD proces gebruikt worden om de oppervlakreacties te bestuderen.