Heterogeneous Integration of Multibandgap III-V Semiconductor Light Sources on Silicon Photonics

Promovendus/a
Andreas De Groote
Faculteit
Faculteit Ingenieurswetenschappen en Architectuur
Vakgroep
Vakgroep Informatietechnologie
Curriculum
Master of Science in de ingenieurswetenschappen: fotonica, Universiteit Gent, 2012
Academische graad
Doctor in de ingenieurswetenschappen: fotonica
Taal proefschrift
en
Vertaling titel
Heterogene integratie van III-V-halfgeleiderlichtbronnen van meerdere actieve media op siliciumfotonica
Promotor(en)
prof. Roel Baets, vakgroep Informatietechnologie - prof. Günther Roelkens, vakgroep Informatietechnologie
Examencommissie
voorzitter prof. Hendrik Van Landeghem (ere-onderwijsdirecteur) - prof. Roel Baets (Vakgroep Informatietechnologie) - prof. John E. Bowers (University of California, Santa Barbara, USA) - prof. Brian Corbett (University College Cork & Tyndall National Institute, Cork, Ireland) - prof. Zeger Hens (Vakgroep Anorganische en Fysische Chemie) - prof. Günther Roelkens (Vakgroep Informatietechnologie) - prof. Dries Van Thourhout (Vakgroep Informatietechnologie)

Korte beschrijving

Diabetes treft ongeveer 10% van de wereldbevolking en wordt gezien als de op twee na belangrijkste vroegtijdige doodsoorzaak. Genezen is onmogelijk, maar mits goede opvolging kan de ziekte onder controle gehouden worden. De vraag naar een geïmplanteerde sensor die de suikerspiegel continu volgt, is dan ook groot. In dit werk werden lichtbronnen ontwikkeld die een optische sensor op silicium moeten mogelijk maken. Silicon photonics is een platform dat volledig draait op het besef dat de optische systemen gebruik zullen maken van immense schaalvergroting, zoals reeds aangetoond in de microelectronica-industrie. Gezien de gigantische aantallen sensoren die nodig zullen zijn om diabetes te monitoren, zal de prijs per siliciumsensor zeer laag blijven. Verschillende fabricatietechnieken werden ontwikkeld om een groot aantal golflengten te genereren, waardoor meer informatie uit een meting gehaald kan worden. Met behulp van quantum well intermixing en multiple die bonding werd een bron met 300nm bandbreedte gerealiseerd. Met transfer printing introduceerden we dan weer een techniek die efficient gebruik maakt van het kostbare actieve materiaal, en die toelaat om verschillende bronnen op dezelfde siliciumchip te gebruiken. Elke stap werkt met high throughput, in het bijzonder deze laatste techniek, waardoor de cruciale schalingswet van hierboven niet in het gedrang komt.

Praktisch

Wanneer
Donderdag 5 oktober 2017, 16:00
Waar
auditorium 1, iGent, first floor, Technologiepark Zwijnaard 15, 9052 Zwijnaarde

Meer info

Contact
doctoraat.ea@UGent.be