III-V/Silicon Photonic Integrated Circuits for Spectroscopic Sensing in the 2-2.5 µm Wavelength Range

Promovendus/a
Ruijun Wang
Faculteit
Faculteit Ingenieurswetenschappen en Architectuur
Vakgroep
Vakgroep Informatietechnologie
Curriculum
Master's Degree of Engineering in Material Physics and Chemistry, Shandong University, China, 2012
Academische graad
Doctor in de ingenieurswetenschappen: fotonica
Taal proefschrift
en
Vertaling titel
Fotonische geïntegreerde circuits op basis van III-V-op-silicium voor spectroscopische sensoren in het golflengtebereik van 2 µm tot 2.5 µm
Promotor(en)
prof. Günther Roelkens, vakgroep Informatietechnologie (EA05)
Examencommissie
voorzitter prof. Daniël De Zutter (ere-decaan) - prof. Markus-Christian Amann (Technische Universität München, Germany) - prof. Roel Baets (Vakgroep Informatietechnologie) - prof. Weidong Chen (Université du Littoral Côte d'Opale, Dunkerque, France) - prof. Yuqing Jiao (Technische Universiteit Eindhoven, the Netherlands) - prof. Jeroen Missinne (Vakgroep Elektronica en Informatiesystemen) - prof. Geert Morthier (Vakgroep Informatietechnologie) - prof. Günther Roelkens (Vakgroep Informatietechnologie)

Korte beschrijving

Het golflengtegebied tussen 2 en 2.5um is interessant voor verschillende toepassingsgebieden, aangezien verschillende gassen sterke absorptielijnen hebben in dit gebied. Het laat ook toe om metingen te doen op bio-molecules, zoals het meten van glucose in bloed. Het combineren van III-V halfgeleiders en fotonische geïntegreerde circuits gebaseerd op silicium laat toe om geïntegreerde systemen te maken in dit golflengtegebied. In deze thesis demonstreren we voor de eerste keer III-V-op-silicium fotonische geïntegreerde circuits rond een golflengte van 2.35um, bestaande uit passieve golfgeleidercircuits, laserbronnen, fotodetectoren en spectrometers. De opto-elektronische componenten zijn gerealizeerd door een InP-gebaseerde type-II epitaxial lagerstructuur te integreren op silicium golfgeleiders. Daarnaast werd ook een breed afstembare 2.05um III-V/silicium hybride externe caviteitslaser gedemonstreerd op basis van een GaSb optische versterker en een silicium fotonisch IC.

Praktisch

Wanneer
Donderdag 16 november 2017, 16:00
Waar
auditorium 1, iGent, eerste verdieping, Technologiepark Zwijnaarde 15, 9052 Zwijnaarde 15, 9052 Zwijnaarde

Meer info

Contact
doctoraat.ea@UGent.be