GaAs Nano-Ridge Lasers Epitaxially Grown on Silicon

Promovendus/a
Yuting Shi
Faculteit
Faculteit Ingenieurswetenschappen en Architectuur
Vakgroep
Vakgroep Informatietechnologie
Curriculum
Master of Science in Photonics Engineering, Universiteit Gent, 2015
Academische graad
Doctor in de ingenieurswetenschappen: fotonica
Taal proefschrift
Engels
Vertaling titel
GaAs-nanorichellasers epitaxiaal gegroeid op silicium
Promotor(en)
prof. Dries Van Thourhout, vakgroep Informatietechnologie
Examencommissie
voorzitter em. prof. Daniël De Zutter (eredecaan) - prof. Benoit Bakeroot (Vakgroep Elektronica en Informatiesystemen) - prof. Andrea Fiore (Technische Universiteit Eindhoven, the Netherlands) - dr. Bernardette Kunert (imec, Leuven) - prof. Geert Morthier (Vakgroep Informatietechnologie) - prof. Dries Van Thourhout (Vakgroep Informatietechnologie)

Korte beschrijving

De marktomvang van Si photonic integrated circuits (PIC's) is explosief gegroeid en verschillende passieve optische Si-componenten zijn met succes ontwikkeld. Als lichtbron ontbreekt echter nog steeds een efficiënte III-V-samengestelde laser geïntegreerd in Si. De Ph.D. het onderzoek van de kandidaat richt zich op GaA-nano-noklasers epitaxiaal gegroeid op 300 mm Si-wafer. Optische karakterisering van de gegroeide materialen, d.w.z. de metingen van fotoluminescentie, PL-levensduur en optische versterking, werden eerst experimenteel uitgevoerd om een ​​fundamenteel begrip van de materiaalkwaliteit van de nano-richels te verkrijgen. Met de optische eigenschappen van de nano-richels goed begrepen, werden Fabry-Perot (FP) lasers, pi / 4 verschoven index-gekoppelde DFB-lasers en gedeeltelijk verlies-gekoppelde (PLC) DFB-lasers aangetoond. In lijn met hedendaagse optische communicatiesystemen die werken met 1,3-1,6 um golflengten, InGaAs zoals nanoribbels met In0.45Ga0.55 zoals QW's O-bandemissie van QW's met een verhoogde Indium-fractie lieten zien als een eerste proef om de emissie te verlengen golflengte. Om de koppeling tussen III-V-nanoribbels en standaard Si-fotonica-apparaten aan te pakken, werden nieuwe adiabatische koppelingen voorgesteld die in de O-band werken. Het werk van de Ph.D. heeft een grote bijdrage geleverd aan de ontwikkeling van de epitaxiale nanoribbels op Si tot een veelzijdiger platform met diverse actieve III-V-apparaten en passieve Si-componenten.

Praktisch

Wanneer
Vrijdag 17 januari 2020, 16:00
Waar
leslokaal 1.1, iGent, eerste verdieping, Technologiepark Zwijnaarde 126, 9052 Zwijnaarde

Meer info

Contact
doctoraat.ea@UGent.be