Heterogeneous Integration of InAs/GaAs Quantum Dot Lasers on Silicon Photonics

Promovendus/a
Sarah Uvin
Faculteit
Faculteit Ingenieurswetenschappen en Architectuur
Vakgroep
Vakgroep Informatietechnologie
Curriculum
Master of Science in de ingenieurswetenschappen: fotonica, Universiteit Gent, 2013
Academische graad
Doctor in de ingenieurswetenschappen: fotonica
Taal proefschrift
Engels
Vertaling titel
Heterogene integratie van InAs/GaAs-kwantumdotlasers op siliciumfotonica
Promotor(en)
prof. Günther Roelkens, vakgroep Informatietechnologie - prof. Dries Van Thourhout, vakgroep Informatietechnologie
Examencommissie
voorzitter em. prof. Hendrik Van Landeghem (ere-onderwijsdirecteur) - prof. Erwin Bente (Technische Universiteit Eindhoven, the Netherlands) - prof. Zeger Hens (Vakgroep Chemie) - prof. Bart Kuyken (Vakgroep Informatietechnologie) - dr. ir. Peter Ossieur (Vakgroep Informatietechnologie) - prof. Günther Roelkens (Vakgroep Informatietechnologie) - prof. Dries Van Thourhout (Vakgroep Informatietechnologie)

Korte beschrijving

In het huidige big data tijdperk kent de vraag naar meer bandbreedte een ongeziene groei. Deze evolutie noopt tot de ontwikkeling van hoog-performante zender-ontvangers voor gebruik in datacenters die deze hoge bandbreedtes aankunnen zonder buitensporig veel energie te verbruiken. Silicium-fotonica heeft zich ontpopt tot een belangrijk platform voor de realisatie van efficiënte, optische hogesnelheidszender-ontvangers. Maar als silicium-fotonica de technologie van de toekomst wil worden, is het noodzakelijk om on-chip lasers te ontwikkelen die kunnen werken bij hoge omgevingstemperaturen en efficiënt licht kunnen koppelen naar de silicium chip. Dit onderzoek omvat het ontwerp, de fabricage en de karakterisatie van InAs/GaAs quantum dot (QD) lasers geïntegreerd op silicium. Door hun unieke eigenschappen zijn QD lasers stabieler bij temperatuurschommelingen en verbruiken ze minder energie. Er werd een nieuw proces ontwikkelt om QD materiaal te integreren op SOI en lasers te fabriceren. Daarnaast is uitgebreid onderzoek gedaan naar verschillende koppelingsmechanismen om licht van de QDs te koppelen naar de silicium golfgeleider. Dit leidde tot 's werelds eerste single-mode InAs/GaAs QD laser geïntegreerd op en gekoppeld naar een silicium chip. Bovendien werd hetzelfde materiaal ook gebruikt om QD mode-locked lasers te fabriceren voor ultrahogesnelheidstoepassingen. Om deze lasers te ontwerpen, werden eerst QW mode-locked lasers gekarakteriseerd.

Praktisch

Wanneer
Donderdag 2 juli 2020, 16:00
Waar
Via livestream

via livestream/videoconferentie, zie link hierboven, maatregel COVID19

Meer info

Contact
doctoraat.ea@UGent.be