Compact Modeling of Gallium Nitride Power High-Electron-Mobility Transistors
- Promovendus/a
- Alaei, Mojtaba
- Faculteit
- Faculteit Ingenieurswetenschappen en Architectuur
- Vakgroep
- Vakgroep Elektronica en Informatiesystemen
- Curriculum
- Master of Science in Electrical Engineering - Nano and Microelectronic Devices, Amirkabir University of Technology (Iran), 2020
- Academische graad
- Doctor in de ingenieurswetenschappen: elektrotechniek
- Taal proefschrift
- Engels
- Promotor(en)
- prof. Benoit Bakeroot, vakgroep Elektronica en Informatiesystemen - prof. Johan Lauwaert, vakgroep Elektronica en Informatiesystemen
- Examencommissie
- voorzitter prof. Filip De Turck (academisch secretaris) - prof. Johan Bauwelinck, vakgroep Informatietechnologie - prof. Jan Doutreloigne, vakgroep Elektronica en Informatiesystemen - prof. Bertrand Parvais, Vrije Universiteit Brussel - dr. ir. Arno Stockman, Sofics - promotor prof. Benoit Bakeroot, vakgroep Elektronica en Informatiesystemen - promotor prof. Johan Lauwaert, vakgroep Elektronica en Informatiesystemen
Korte beschrijving
Dit onderzoek richt zich op het ontwikkelen van fysica-gebaseerde modellen voor hoge-elektron-mobiliteitstransistoren (HEMTs) gefabriceerd in galliumnitride (GaN) en met een p-type galliumnitride-poort, een geavanceerde halfgeleidercomponent dat veelbelovend is voor hoogvermogen- en hoogfrequente toepassingen. GaN-technologie biedt unieke eigenschappen zoals hoge efficiëntie, snelle schakelsnelheden en de mogelijkheid om bij hoge spanningen te werken, waardoor het belangrijk is voor bepaalde moderne elektronica, voor toepassingen gaande van eenvoudige adapters tot communicatiesystemen. Het onderzoek presenteert een methode om het gedrag van deze componenten nauwkeurig te voorspellen, rekening houdend met belangrijke fysische fenomenen zoals poortlekkage en substraateffecten. De modellen helpen om te komen tot betere inzichten en verbeterde ontwerpstrategieën, zoals geoptimaliseerde doteerprofielen, om uiteindelijk de prestaties te verbeteren zoals verminderd vermogensverlies tijdens het schakelen van de componenten. De ontwikkelde fysica-gebaseerde modellen zijn gevalideerd met experimenten en bieden een betrouwbare, efficiënte basis voor het simuleren van hoogvermogencircuits en systemen die GaN-componenten gebruiken. Deze resultaten leveren zowel praktische hulpmiddelen voor ingenieurs als een theoretische basis voor toekomstige ontwikkelingen in geavanceerde halfgeleidertechnologieën.
Praktisch
- Datum
- Woensdag 12 november 2025, 17:00
- Locatie
- leslokaal 1.1 Baekeland, gebouw 130 Baekeland, eerste verdieping, Technologiepark Zwijnaarde 130, 9052 Zwijnaarde
- Livestream
- Volg online
Meer info
- Contact
- doctoraat.ea@ugent.be